代表性成果简介

（1）晶圆划片道直写填充装备

晶圆划片道直写填充装备是我公司基于自主专利技术研制的半导体制造专用装备，用于晶圆划片道精确填充专用纳米材料，实现良好的Underfill效果，对比现有晶圆划片道PECVD填充技术，具有节省材料，减少抛磨量，有效提升良率与效率，是高端芯片生产制造的核心装备之一。

设备特点

1. 原创高速直写填充技术，精准填充、无静电
2. 精密视觉自动扫描与定位晶圆划片道位置，自动规划填充路线
3. 节省材料与填充时间，填料量可控，节省后道打磨时间
4. 节省昂贵PECVD设备开支，提升效率与良率

技术规格

1. 设备功能：用于晶圆划片道、芯片间距缝隙的纳米浆料直写填充，适应沟道宽≥50μm、深≤50μm，可根据wafer尺寸、沟道尺寸等，定制化开发
2. 运动平台：气浮隔振、运动定位精度≤1μm
3. wafer基台：适应≤12英寸wafer，专用陶瓷基台平面度≤5μm、带真空吸附
4. 基台旋转：重复定位精度≤±1arcsec
5. 辅助视觉：定位视觉相机对位精度≤1μm，观测相机可检测距离
6. 激光检测：自动扫描wafer晶圆，可自动晶圆寻边、识别沟道、规划直写填充路线
7. 直写通道：1个、可扩展至2个，直写速度≤200mm/s
8. 设备洁净度：百级，带净化系统

      （2）超薄大芯片高精度堆叠装备

超薄大芯片高精度堆叠装备是我公司根据企业定向研发的半导体制造专用装备，主要实现大尺寸超薄芯片的无损转移、高精度对准与晶圆的离子键合/堆叠等功能。设备集成超薄芯片顶取剥离、无损转移、激光/视觉对位、多自由度纠姿、球面键合头等核心部件，设备采用自主开发的多顶片无损剥离超薄芯片技术、旋流拾取技术、同位上/下视觉精准定位键合技术等原创技术，具有键合精度高、良率高、效率高等技术优势，应用于存储、图像处理等高端芯片堆叠制备。

设备特点

1. 提供有效的大尺寸超薄芯片与晶圆倒装键合解决方案
2. 多区域顶取装置实现快速剥离，避免超薄芯片翘曲破损
3. 可定制旋流拾取方案，实现芯片气流悬浮和无损转移
4. 球面贴装头设计，实现大尺寸超薄芯片无气泡贴装键合
5. 原位上/下视觉精准定位技术，确保高精度键合与良率

设备技术参数

1. 设备功能：用于大尺寸超薄芯片（不大于13mm*13mm，厚≤30μm）的无损剥离、非接触拾取、无损转移与高精度贴装键合等功能
2. wafer基台：采用专业级wafer chuck，真空吸附采用微孔陶瓷/氮化硅材料，平面度≤1μm
3. 基台旋转：重复定位精度≤±1arcsec
4. 运动平台：气浮隔振，运动定位精度≤0.5μm，隔振效果10Hz以下
5. 键合精度：辅助原位上/下视定位相机，可多自由度高精度调节贴装头芯片姿态，实现贴装精度≤±1μm
6. 精密视觉对位：精度≤1um
7. 芯片剥离：采用多顶片剥离技术，无损剥离超薄大芯片
8. 拾取转移：可定制旋流拾取，通过气流悬浮芯片，实现无接触式转移
9. 贴装键合：采用自研微型球面贴装头，吸取超薄芯片成微球面，从芯片中心-边缘逐渐贴合，确保无气泡贴装与高可靠键合
10. 适应晶圆尺寸：≤12英寸
11. 设备洁净度：具备净化系统，确保百级洁净环境